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Diversas

Tratamento com plasma em filmes semicondutores pode melhorar produção de hidrogênio
Publicado em 07/05/2024 às 09h28
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No experimento os pesquisadores utilizaram plasma de nitrogênio e de oxigênio para aumentar a fotoeletroatividade do material na reação de desprendimento de hidrogênio
 Pesquisa do Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais e do Centro de Inovação em Novas Energias descreveu uma abordagem inovadora de tratamento com plasma para filmes de tri-seleneto de antimônio que tornou hidrofílica sua superfície normalmente hidrofóbica, propriedade física de uma molécula que é aparentemente repelida pela água.

O material tem propriedades que o credenciam para ser utilizado como fotocatodo para geração de gás hidrogênio pelo método de divisão de molécula de água com energia solar. Mas a hidrofobia da superfície do tri-seleneto de antimônio prejudica seu desempenho na célula fotoeletroquímica, diminuindo sua capacidade de transformar energia luminosa em energia química. Obter hidrogênio com energia solar é importante porque esse gás é um forte candidato à produção de energia elétrica no futuro, inclusive em veículos.

O CDMF é um Centro de Pesquisa, Inovação e Difusão da FAPESP sediado na Universidade Federal de São Carlos (UFSCar), e o CINE é um Centro de Pesquisa em Engenharia apoiado pela FAPESP e Shell.

No experimento, os pesquisadores utilizaram plasma de nitrogênio e de oxigênio para aumentar a molhabilidade (a capacidade de um líquido se manter em contato com a superfície) do material e, dessa forma, aumentar sua fotoeletroatividade na reação de desprendimento de hidrogênio. A pesquisa traz, assim, uma nova estratégia possível para melhorar a molhabilidade de semicondutores.

O estudo foi detalhado no artigo Plasma treatment of electrodeposited , publicado no períodico em Chemical Engineering Journal. 

Com informações da Assessoria de Imprensa do CDMF.
Fonte: Agência FAPESP
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